「自動リーク検出 (Automatic Leak Detection)」ページでは、「自動リーク検出 (Automatic Leak Detection)」プロファイル・タイプのオプションを選択できます。
「自動リーク検出 (Automatic Leak Detection)」ページを開くには、 「プロファイルおよびロギング」パースペクティブを開きます。このメインメニューから、メモリー・リーク分析 - 手動でのヒープ・ダンプ (Memory Leak Analysis - Manual Heap Dumps)」、「メモリー・リーク分析 - 時刻指定のヒープ・ダンプ (Memory Leak Analysis - Timed Heap Dump)」プロファイル・セットのいずれかを 選択し、「編集」、「次へ」とクリックします。
とクリックし、プロファイル構成を選択または作成します。構成の「プロファイル」タブで、「以下の表で、 「自動リーク検出 (Automatic Leak Detection)」プロファイル・タイプで選択できるオプションを説明します。
オプション | 説明 | デフォルト、時刻指定のヒープ・ダンプ収集 | デフォルト、手動でヒープ・ダンプ収集 |
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リーク・データ収集の設定: 時刻指定のヒープ・ダンプ収集 (Settings for leak data collection: Timed heap dump collection) | これを選択すると、プロファイル時に 2 つのヒープ・ダンプが自動的にキャプチャーされます。「最初のヒープ・ダンプをキャプチャーするまでに待つ秒数 (Seconds to wait before capturing first heap dump)」および「最初のヒープ・ダンプ後、最後のヒープ・ダンプをキャプチャーするまでの秒数 (Seconds after the first heap dump before capturing last heap dump)」の編集ボックスに数値を入力して、 いつヒープ・ダンプをキャプチャーするかを制御することができます。 | オン (On) | オフ (Off) |
リーク・データ収集の設定: 最初のヒープ・ダンプをキャプチャーするまでに 待つ秒数 (Settings for leak data collection: Seconds to wait before capturing first heap dump) | プログラムの起動後、最初のヒープ・ダンプをキャプチャーするまでに待つ秒数を指定することができます。最初のヒープ・ダンプはリーク分析のベースラインとして使用されます。ダンプのキャプチャーは、アプリケーションが安定状態になったときに行わなければなりません。 | 600 | 使用不可 |
リーク・データ収集の設定: 最初のヒープ・ダンプ後、最後のヒープ・ダンプをキャプチャーするまでの秒数 (Settings for leak data collection: Seconds after first heap before capturing last heap dump) | ベースラインのヒープ・ダンプ後、最終ヒープ・ダンプをキャプチャーするまでに待つ秒数を 指定することができます。この最終ヒープ・ダンプは、リークが発生したと思われるプログラムの実行中のポイントでキャプチャーされなければなりません。 リーク分析を実行する際、最終ヒープ・ダンプがベースライン・ヒープ・ダンプと比較され、リーク候補が識別されます。 | 600 | 使用不可 |
リーク・データ収集の設定: 手動でのヒープ・ダンプ収集 (Settings for leak data collection: Manual heap dump collection) | これを選択した場合、ヒープ・ダンプ・キャプチャーのボタンまたはメニュー・コマンドを使用して、 ベースライン・ヒープ・ダンプと最終ヒープ・ダンプを手動でキャプチャーする必要があります。 | オフ (Off) | オン (On) |
しきい値: 1 から 99 の間 (それぞれ含む) のしきい値を入力する (Threshold: Enter threshold value between 1 and 99 (inclusive)) | オブジェクトを評価するためのしきい値を設定することができます。しきい値が低いほど、より多くのオブジェクトが、可能性のあるリーク候補と見なされます。注: 評価されるオブジェクトの数を増やすと、データ収集実行のパフォーマンスが低速になります。 | 20 | 20 |